16 октября, 2022 
raven000 Организация «Самсунг» Электроникс на событии Flash Memory Summit 2016 в Санта-Кларе (Калифорния, США) показала твердотельный накопитель (SSD) вместительностью 32 Тбайт.
Докладывается, что устройство сохранения данных сделано на базе 512-гигабитных флеш-чипов памяти Vertical NAND (V-NAND) четвёртого поколения. Система V-NAND учитывает сборку кристаллов флеш-памяти по высоте: это дает возможность получить трёхмерную конструкцию микрочипа и в несколько раз увеличить число держанной информации на единицу площади.
В новом накопителе «Самсунг» применены 512 чипов V-NAND, сгруппированных в 16 слоёв. В общей сложности они предоставляют обозначенную ёмкость в 32 Тбайт.
Накопитель сделан в форм-факторе 2,5 дм; для включения используется внешний вид Serial Attached Ide (SAS). Устройство рассчитано на применение в оснащении общего класса.
Многочисленное изготовление новинки ожидается осуществить в 2016 году. Информации об приблизительной стоимости пока нет.
Опубликовано в рубрике 
