7a77ce55

Micron Mobile 3D NAND: объём памяти в телефонах увеличится до 1 Тбайт

Организация Micron Technology продемонстрировала собственные первые микрочипы памяти 3D NAND, улучшенные для применения в мобильных приборах — телефонах, фаблетах и планшетах.

Система 3D NAND предполагает применение объёмною архитектуры, из-за чего существенно растет объём держанной информации на единицу площади. Micron, например, заявляет, что микролит 3D NAND до 30 % плотнее кристалла стандартной планарной памяти NAND той же ёмкости.

Первые изделия Micron Mobile 3D NAND имеют вместительность 32 Гигабайт. Они рассчитаны на применение в телефонах среднего и лучшего значения. Микрочипы сделаны в соответствии со эталоном UFS 2.1. Напоминаем, что UFS, либо Universal Flash Сторидж, — это совместная классификация флеш-накопителей для цифровых фотоаппаратов, мобильных телефонных аппаратов и потребительской электроники. Сравнивая с обширно применяемой памятью eMMC, чипсеты UFS обеспечивают значительное повышение мощности при одновременном понижении употребляемой энергии.

Micron рассчитывает, что возникновение памяти 3D NAND, улучшенной для мобильных телефонов, понизит связь от microSD-карт и позволит значительно повысить объем интегрированной флеш-памяти телефонов. Например, к 2020 году предполагается возникновение аппаратов с внешним накопителем вместительностью до 1 Тбайт. 

Вы можете оставить комментарий, или ссылку на Ваш сайт.

Оставить комментарий