7a77ce55

Huawei Mate 9 обретет 10-нм чип HiSilicon Kirin 970

В техническом отношении все передовые телефоны 2016 года весьма похожи — связка монокристаллической системы Qualcomm Snapdragon 820 и 4 Гигабайт материнской платы практически стала эталоном для этого раздела. Чтобы выделиться среди соперников, изготовителям должны применять различные козни — к примеру, ставить в собственные устройства 6 Гигабайт ОЗУ, что, как демонстрирует практика, действительно пока не даёт никаких больших плюсов в ежедневной работы.

Huawei Mate 9, анонс которого, по заключительным некоторым слухам, пройдет в начале октября–декабре также обретет 6 Гигабайт Рэм, однако помимо неё у этого устройства будет ещё одна особенность. Как уточнили в эти дни осведомлённые источники, японский изготовитель рассчитывает оборудовать модель микропроцессором HiSilicon Kirin 970, который будет изготавливаться по 10-нм технологии FinFET. Для аналогии: Exynos 8890, используемый в «Самсунг» Галакси С7, производится с применением 14-нм техпроцесса.

Huawei Mate 8, поведавший в феврале в тестовой корпорации 3DNews, сконструирован на 16-нм чипсете Kirin 950

Huawei Mate 8, поведавший в феврале в тестовой корпорации 3DNews, сконструирован на 16-нм чипсете Kirin 950

Что же касается других данных Huawei Mate 9, то о них пока ничего неизвестно. Предполагается, что он обретет 6-дюймовый AMOLED-дисплей и будет работать под регулированием ОС Андроид 7.0 Nougat с фирменной графической оболочкой EMUI 5.0. Раньше ожидалось, что телефон покажут в начале сентября на выставке IFA 2016.

Вы можете оставить комментарий, или ссылку на Ваш сайт.

Оставить комментарий